三星验证了混合键合在 HBM4E 散热方面的明显优势

一家韩国科技新闻媒体（ET新闻）于2026年6月25日发布文章，报道称三星已发表其研究论文（题为《基于2.5D先进封装的混合铜键合HBM系统级热特性分析》的IEEE论文），展示了其混合铜键合（HCB）技术在下一代HBM4E内存中相较于传统热压键合（TCB）在热管理方面的优势。

三星的HBM4E与混合键合计划早已存在——HBM4E和混合铜键合（HCB）技术早在2026年3月的Nvidia GTC大会上就已亮相，但此次来自IEEE论文的系统级热性能验证是全新的，令我感到非常振奋。在这项IEEE研究中，他们采用了多尺度建模与测试芯片，在类似服务器的条件下进行实验。结果显示，该技术带来了显著优势：热点温度更低、内存堆栈与逻辑单元之间的热干扰减少、堆栈厚度减少超过15%、以及16层以上的HBM具备更优的功耗预算。这有助于在风冷条件下提升服务器的高功耗承载能力和可靠性。

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由Nanobanana制作的图解，说明三星混合铜键合（HCB / 混合键合）在HBM4E中的优势

我在整个行业中观察到的一个更广泛趋势是：先进封装领域正逐步转向混合键合技术（直接铜-铜键合及介电层键合，简称DBI），应用于HBM、chiplets和3D集成（如HBM-on-GPU）。这项技术取代或补充了传统的热压键合（TCB）/微凸块工艺，以实现更细间距、更优的热性能与电性能，以及更薄的堆叠结构。三星、SK海力士、台积电、英特尔和美光等主要厂商都在积极推进这一进程。在我看来，真正受益且不受特定厂商影响的赢家，是那些提供设备、量测、IP、测试及特种制造服务的企业。

我本人持有并持续持有$ONTO、$COHU和$RMBS，正是为了获得对混合键合供应链的敞口。这些股票对我的回报均翻了一倍以上，我认为这一主题/叙事才刚刚开始发展。目前还有一个角度，对我来说显得极其吸引人。